半導體吸片是透過引入缺陷和雜質，在硅片內形成因局部無序而產生的應力場（吸除源），與有源區的雜質與缺陷相互作用，使之脫離而達到淨化有源區的目的。
吸除技術有外吸除和內吸除兩種。外吸除包括背面金屬膜沉積、溶質重擴散、離子注入、機械損傷、激光損傷、氮化硅膜沉積和多晶硅沉積等方法。內吸除則是在硅片內引入吸除源。對於直拉硅片，在熱過程中由於過飽和間隙氧的外擴散，可在硅片正表面形成一個十幾至幾十微米厚的低氧無缺陷剝光區，這正是器件源區所在區域。而在硅片體內，過飽和間隙氧沉澱和由其誘生的大量缺陷，如無定型氧沉澱、層錯、小位錯回線等，則成爲理想的吸除源。這種爲實現氧的可控沉澱的通用熱處理法，其主要缺點是耗時耗電，且效果的重複性和穩定性差，這是因爲硅中氧沉澱受硅單晶熱歷史、過飽和間隙氧含量及其分佈的制約。如果適當改變硅中本徵點缺陷的濃度和性質(間隙型或空位型)，在熱過程中可以實現硅中氧的可控沉澱，如採用輻照引入缺陷或等價摻雜等方法。
