第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN爲主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
一、二、三代半導體什麼區別
一、材料：
第一代半導體材料，發明並實用於20世紀50年代，以硅（Si）、鍺（Ge）爲代表，特別是Si，構成了一切邏輯器件的基礎。我們的CPU、GPU的算力，都離不開Si的功勞。
第二代半導體材料，發明並實用於20世紀80年代，主要是指化合物半導體材料，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）爲代表。其中GaAs在射頻功放器件中扮演重要角色，InP在光通信器件中應用廣泛……
而第三代半導體，發明並實用於本世紀初年，涌現出了碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特性的新興半導體材料，因此也被成爲寬禁帶半導體材料
三代半導體指以氮化鎵、碳化硅爲代表的化合物半導體，還包括氧化鋅和金剛石材料。第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、抗輻射等諸多優勢特性，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。目前用在充電樁、光伏等領域的核心部件上，這些領域都是國家重點發展的方向。
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN爲主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
