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自從上世紀五十年代以來,半導體產業已經發展爲第三代。主要是材料不同。
第一代半導體材料以硅(Si)、鍺(Ge)爲主。
第二代bd半導體材料以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(lnP)爲主。
第三代半導體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(ZnO)、金剛石(C)爲代表。
其實,第三代和第一代,第二代半導體並不是替代關係,而是因其不同的特性適用於不同領域。它們的應用範圍有交叉但並不等同。
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