答:第三代半導體利弊:第一代和第三代半導體材料各有利弊，並無絕對的替代關係，而是在特定的應用場景中存在各自的比較優勢。通常來說，第三代半導體分爲碳化硅和氮化鎵兩個應用分支。兩者都需要碳化硅襯底，繼而再進行外延（在襯底上澱積一層單晶）。
不同點在於兩者的碳化硅襯底不同，最終的應用方向也不同。氮化鎵需要在半絕緣型碳化硅襯底上，澱積氮化鎵外延而得到。碳化硅需要在導電型碳化硅襯底上，澱積碳化硅外延而得到。第三代半導體行業目前在全球範圍內還處於發展初期階段。雖然國際巨頭在技術和經驗方面依舊領先於國內廠商，但是相對於第一代半導體的差距而言，國內和國際巨頭公司之間的整體技術差距相對較小。
另外，由於第三代半導體的下游工藝製程具有更高的包容性和寬容度，下游製造環節對設備的要求相對較低，投資額相對較小，制約行業發展的關鍵在上游材料端（襯底）。
第三代半導體目前普遍採用碳化硅作爲襯底材料，在高壓和高可靠性領域選擇碳化硅外延，如新能源車和工控等領域。在高頻領域選擇氮化鎵外延，如5G基站等領域。
第三代半導體行業目前整體處於產業化起步階段，相較於第一代、第二代半導體尚處於發展初期，國內和國際巨頭基本處於同一起跑線。國內本土SiC廠家與國外同行相比，雖然仍有一定差距，但仍有希望能夠迎頭趕上。
第三代半導體物理性能優勢顯著，下游應用場景極爲廣闊。第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優勢。
第 三代半導體材料具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性 能，是固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，正在成爲全球半導體產業新的 戰略高地。
