厚膜加熱是用超導陶瓷材料微粉與有機粘合溶劑調和成糊狀漿料，用絲網漏印技術將漿料以電路佈線或圖案形式印製在基底材料上，經嚴格熱處理程序進行燒結，製成超導厚膜，厚度可在15－80μm範圍。該膜層超導轉變溫度在90K以上，零電阻溫度在80K以上。
厚膜集成電路經歷了厚膜電阻、無源網絡、SMT組裝HIC，COB 組裝 (板上芯片鍵合) HIC，密封微電子系統等階段並發展到今天的多芯片系統( MCS)，經受了技術和生產重大變化的厚膜HIC，正呈現蓬勃發展的勢頭。厚膜HIC作爲一種功能電路或微電子系統還涉及到電路的設計及組裝及封裝等問題。
典型厚膜元件的厚度爲0.5 至1 密耳 (即12.7~24.5μm) 或更厚一些，而薄膜元件的膜層一般小於1μm，作爲導帶還可薄至3 nm左右，薄膜技術主要採用蒸發和濺射工藝成膜。
