NMOS晶體管的工作原理： 在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底（提供大量可以動空穴）上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量爲電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。
然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極（通常是多晶硅），作爲柵極G。
在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的。 NMOS晶體管簡介： NMOS英文全稱爲：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思爲N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體
