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p溝道mos管導通條件

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p溝道mos管導通條件

P型MOS管的導通條件:

靠在G極上加一個觸發電壓,使N極與D極導通。對N溝道G極電壓爲+極性。對P溝道的G極電壓爲-極性。 場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制,對於增強型場效應管來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就可以了。

P溝道mos管作爲開關,柵源的閥值爲-0.4V,當柵源的電壓差爲-0.4V就會使DS導通,如果S爲2.8V,G爲1.8V,那麼GS=-1V,mos管導通,D爲2.8V。

如果S爲2.8V,G爲2.8V,VGSw,那麼mos管不導通,D爲0V,所以,如果2.8V連接到S,要mos管導通爲系統供電,系統連接到D,利用G控制。和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管關斷,低電平使mos管導通。

如果控制G的GPIO的電壓區域爲1.8V,那麼GPIO高電平的時候爲1.8V,GS爲1.8-2.8=-1V,mos管導通,不能夠關斷。

GPIO爲低電平的時候,假如0.1V,那麼GS爲0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉