日本命名法
日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業協會JEIA註冊標誌。S-表示已在日本電子工業協會JEIA註冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管(MOSFET)、K-N溝道場效應管(MOSFET)、M-雙向可控硅。
第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號數字越大，越是近期產品。
第五部分：用字母表示同一型號的改進型產品標誌。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
如2SK134爲N溝道MOSFET，2SJ49爲P溝道MOSFET。
中國命名法
中國命名場效應管(MOSFET)通常有下列兩種命名方法。
第一種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管(MOSFET)，第4部分用阿拉伯數字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
第二種命名方法與雙極型三極管相同，第一位用數字代表電極數第二位用字母代表極性（其中D是N溝道，C是P溝道）第三位用字母代表類型（其中J代表結型場效應管(MOSFET)，O代表絕緣柵場效應管(MOSFET)）。例如，3DJ6D是N溝道結型場效應三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應三極管。
mos管的命名規則
第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結型場效應管，O代表絕緣柵場效應管.第二位字母代表材料，D是P型硅，反型層是N溝道C是N型硅P溝道
