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硅的遷移率

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硅的遷移率

遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是釐米2/(伏·秒)。遷移率代表了載流子導電能力的大小,它和載流子(電子或空穴)濃度決定了半導體的電導率。

遷移率與載流子的有效質量和散射概率成反比。載流子的有效質量與材料有關,不同的半導體中電子有不同的有效質量。如硅中電子的有效質量爲0.5m0(m0是自由電子質量),砷化鎵中電子的有效質量爲0.07m0。空穴分重空穴和輕空穴,它們具有與電子不同的有效質量。半導體中載流子在低溫下主要受到缺陷和雜質的散射,高溫下主要受到由原子晶格振動產生的聲子的散射。散射越強,遷移率越低。