露笑科技在碳化硅晶體生長的長晶爐上具有較強的實力。公司憑藉在藍寶石業務上的深厚積澱，已突破以下幾項碳化硅長晶爐及長晶環節關鍵技術：
（1）、完成6寸石英管式碳化硅晶體生長爐開發，以獨特密封結構解決設備高真空度獲取與長時間保持的難題，極限真空<210-5Pa，具備工程化使用條件。
（2）、完成大尺寸碳化硅單晶製備相關理論的研究，透過計算機模型輔助計算，形成了單晶製備過程物質與熱量傳輸、缺陷演變的基本規律，解決了熱場均勻性差、大尺寸單晶應力聚集、單晶擴徑難等問題，爲6寸及以上半絕緣碳化硅晶體的製備打下了堅實基礎。
（3）、解決晶型生長控制難、微管密度大、晶體背向腐蝕嚴重等難題，提升了單晶質量，透過長晶過程中的除雜工藝實現了高電阻率晶體生長。
（4）、高純度碳化硅原料合成，有效降低原料中對電阻率提升有害的特定雜質含量濃度，達到小於1ppm量級。
