二者的相同點爲：都是含有硅元素的純淨物。不同點：碳化硅（SiC）爲純淨物中的化合物，而硅片中的主要成分爲硅（Si）元素，它是固態非金屬單質。
硅片是第一代半導體材料，碳化硅晶片是第三代。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，製作芯片的核心材料按照歷史進程分爲：第一代半導體材料（大部分爲目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵） 。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的製作半導體芯片的基礎材料。
