平面MOS管是MOSFET的縮寫，MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。一般是金屬、氧化物和半導體場效應晶體管，或者稱是金屬、絕緣體和半導體，MOS管的源極和耗盡層是可以對調的，他們都是在P型中形成的N型區，在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認爲是對稱的，在MOS終端的使用過程中，常常需要對其進行固定，且現有技術一般是對其進行焊接，這樣使用時間過長會影響其固定效果，且不能進行一定散熱，影響了整體的使用壽命。
傳統的平面MOS封裝結構，不能夠對MOS終端進行很好的固定，大大的降低高了整體的固定效果，不能保證MOS終端的穩定性，MOS終端鬆動容易對整體的影響，且不便於使用者進行操作，不夠安全可靠，不能夠對MOS終端進行很好的散熱，不可以將MOS終端工作時產生的熱量進行散熱，減少了該裝置整體的使用壽命。
