碳化硅電機優缺點

優點是 耐壓高，臨界擊穿電場高達2MV/cm(4H-SiC)，因此具有更高的耐壓能力(10倍於Si)。散熱容易，由於SiC材料的熱導率較高(是Si的三倍)，散熱更容易，器件可工作在更高的環境溫度下。

缺點是理論上，SiC功率器件可在175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小。由於它的金屬-半導體結，當電壓反向連接時，更容易產生泄漏電流。此外，肖特基二極管往往具有較低的最大反向電壓。它們的最大值往往爲50V或更低