mdd1902場效應管參數

mdd1902 N溝道 100V 40A TO-252 MOSFET場效應管。漏源電壓(Vdss) 100 漏極電流(Id) 40 漏源導通電阻(RDS On) 8.7 柵源電壓(Vgs) ±20 配置類型 MOSFET場效應管 工作溫度範圍 -55～150。場效應管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。