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pn結加正向電壓耗盡層的變化

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pn結加正向電壓耗盡層的變化

平衡狀態下的PN結中擴散電流與漂移電流相等,加正向偏壓後,正向電壓落在空間電荷區並與空間電荷區,自建電場的電壓方向相反,等於削弱了自建電場,空間電荷區勢壘降低,擴散電流超過了漂移電流,使PN結導通。

隨着正向電壓的增大,空間電荷區長度縮短,勢壘變低,電壓變低。

PN結指:採用不同的摻雜工藝,透過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交介面就形成空間電荷區稱爲PN結(英語:PN junction)。

PN結具有單向導電性,是電子技術中許多器件所利用的特性,例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎

耗盡層將變窄。

耗盡層就是在pn結附近,p 型半導體一邊的空間電荷是負離子 ,n 型半導體一邊的空間電荷是正離子。正負離子在介面附近產生電場,這電場阻止載流子進一步擴散 ,達到平衡。pn結外加正向電壓時,擴散電流大於漂移電流,耗盡層將變窄。