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光蝕刻和化學蝕刻有什麼區別

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光蝕刻和化學蝕刻有什麼區別

光蝕刻,簡稱光刻,主要是應用於製作印片或電器的線路板等。利用照相手段製作抗蝕膜像,用來保護表面,在金屬、塑料等上面,藉助腐蝕劑進行腐蝕的方法。應用於製作印片或電器的線路板等。

化學蝕刻指透過製版曝光、顯影后,將要蝕刻區域的保護膜去除,在蝕刻時使金屬接觸化學溶液,使用兩個陽性圖形透過從兩面的化學研磨達到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果,化學蝕刻是很有針對性的,是專指受控腐蝕,是金屬透過化學方法進行一種可以控制的加工方法。蝕刻分幹蝕刻和溼蝕刻。幹蝕刻技術又分爲反應離子蝕刻(RIE)、濺射蝕刻和氣相蝕刻。

光蝕刻是指使掩膜後的暴露部分透過光化學反應清除掉,往往後續還用到其它方式進步腐蝕.化學蝕刻則是指化學反應對暴露部分進行腐蝕清除.