答:IGBT的額定功率是3300V/50AIGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓爲600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT只是一個高速的開關元件，民用級別的大約是1200V25A到40A左右的規格，其自身的耗散功率一般是幾十瓦的樣子。1500W至2000W是指其工作線圈可以產生的加熱功率可以達到的瓦數。1500w~2000w是最高可以提供這麼高的功率，但用時不見得就是這個功率，根據你的設定不同時功率會不同。設定最大是2000W可以達到2000W的功率。不過這個是指的輸入功率。 實際輸出功率應該在80-90%之間。 也就是輸出1600-1800W的樣子。
