ddr4內存時序參數3200(16)8G×16，CL 16-16-16 1.35V爲好，不過根據不同品牌體質的內存有不同的 差異。
ddr4內存時序多少爲好 1、ddr4內存時序參數3200(16)8G×16，CL 16-16-16 1.35V爲好，默認DDR4 2133，1.2V，加載XMP可以直接提升頻率 爲DDR4 3200 16-16-16-36 2T，高頻下的電壓爲1.35V 2、ddr4內存不動第一時序就儘量不動第一時序，首先應該從調整第二時序入手，放大tRFC、tREF一般可以獲得更高的頻率ddr4 內存與ddr4、ddr42內存不同，第一時序中的CR對內存頻率和性能影響並不大ddr4第二時序中的tRTP、tRTW和tWTR對性能影響不 大，可以適當放寬以提高超頻後的穩定性，tRRD對性能的影響則比較大，儘量避免犧牲tRRD來換取高頻第三時序雖然不起眼而且經常被 遺忘，但是其對性能的影響也不小。
