概念
晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier， SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。
可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電流的控制。可控硅器件主要用在開關方面，使器件從關閉或是阻斷的狀態轉換爲開啓或是導通的狀態，反之亦然。可控硅器件與雙極型晶體管有密切的關係，二者的傳導過程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅的開關機制和雙極晶體管是不同的，且因爲器件結構不同，可控硅器件有較寬廣範圍的電流、電壓控制能力。現今的可控硅器件的額定電流可以從幾毫安到5000A以上，額定電壓可以超過10000V。下面將討論基本可控硅器件的工作原理，然後給出一些高功率和高頻率的可控硅器件。
結構
今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
以硅單晶爲基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，起始於1957年，因爲它的特性類似於真空閘流管，所以國際上通稱爲硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因爲晶閘管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之爲硅可控整流元件，簡稱爲可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更爲可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯着增加，允許透過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍反應極快，在微秒級內開通、關斷無觸點執行，無火花、無噪音效率高，成本低等等。
可控硅的弱點:靜態及動態的過載能力較差容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
可控硅的分類
可控硅有多種分類方法。
（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分爲普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分爲二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分爲金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分爲螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控硅又分爲帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分爲大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分爲普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
