光觸媒的原理

光觸媒原理：光催化氧化是以N型半導體的能帶理論爲基礎，半導體材料具有與金屬不同的不連續能帶結構，一般由填滿電子的低能價帶和含有空穴的高能導帶構成，價帶和導帶之間存在禁帶。

當用能量等於或大於禁帶寬度(又稱帶隙)的光照射時，價帶上的電子(eˉ)會被激發躍遷至導帶，在價帶上產生相應的電子空穴(h+)並在電場的作用下分離遷移到表面。