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EOS失效是在EOS事件發生後,由於過熱導致芯片失效。過熱是芯片內部連接電阻發熱的結果。在低電阻路徑中,在EOS事件期間經歷的高電流會產生局部的高溫,從而對芯片結構造成破壞性損壞。
EOS事件需要滿足下列條件:
(1)低電壓,<100V,峯值電流高(2)高能量,事件作用時間通常大於1ms。
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