1製作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。
2晶圓塗膜。在晶圓表面塗上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。
3晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光透過光罩和凸透鏡後照射到晶圓塗膜上，使其軟化，然後使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。
4離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，並注入離子，形成PN結（邏輯閘門）然後透過化學和物理氣象沉澱做出上層金屬連接電路。
5晶圓測試。經過上面的幾道工藝之後，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。透過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。由於每個芯片的擁有的晶粒數量是非常龐大的，完成一次針測試是一個非常複雜的過程，這要求在生產的時候儘量是同等芯片規格的大批量生產，畢竟數量越大相對成本就會越低。
6封裝。將製造完成的晶圓固定，綁定引腳，然後根據用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外在因素採用各種不同的封裝形式同種芯片內核可以有不同的封裝形式，比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。
芯片製造步驟：
1、製作晶圓
2、晶圓塗膜
3、晶圓光刻顯影、蝕刻
4、離子注入
5、晶圓測試
6、封裝
芯片的種類也非常多，有幾十種大門類上千種小門類。製造一顆芯片有多難，芯片製作完整過程包括芯片設計、晶片製作、封裝製作、測試等幾個環節，一顆芯片的製造工藝可想而知非常複雜。
芯片的製作過程主要有，芯片圖紙的設計→晶片的製作→封裝→測試等四個主要步驟。
其中最複雜的要數晶片的製作了，晶片的製作要分爲，硅錠的製作和打磨→切片成晶片→塗膜光刻→蝕刻→摻加雜質→晶圓測試→封裝測試。這樣一個芯片纔算完成了。
