當PN結上流過的正向電流較大時，注入並積累在低摻雜N區的少子空穴濃度將很大，爲了維持半導體中性條件，其多子濃度也相應大幅度增加，使得其電阻率明顯下降，也就是電導率大大增加，這就是電導調製效應。
更準確的定義下： Webster效應也稱爲 基區電導調製效應，這是BJT在大工作電流時、基區電導發生增大的一種現象。
因爲半導體內部各點總是要保持電中性，所以，在發射結正偏、向基區注入少子的同時，也必將有相同數量、相同濃度梯度的多子在基區中積累起來當注入的少子濃度很大（大注入）、接近摻雜濃度時，則額外積累起來的多子濃度也就與摻雜濃度相當了，這時，基區的電導率實際上就決定於基區摻雜濃度和額外增加的多子濃度的總和（換句話說，大注入的結果就相當於增加了基區摻雜濃度），從而基區的有效電導率大大增加了（注入越大，有效電阻率降低得越多），這就是基區電導調製效應（也稱爲Webster效應）
