這種新的封裝工藝要比現有LPDDR4移動晶片的空間佔用少30%，同時功率消耗降低20%。這種新的工藝被稱作LPDDR4X，並且在今年將擁有非常大的市場需求。
之前曾有訊息透露，三星的下一代旗艦Galaxy S8將配備8GB的超大執行記憶體，但是如何在一臺超輕薄的智慧手機上安裝8GB這麼大容量的執行記憶體，對於三星的設計和組裝工藝也是一個考驗。
不過近日SK Hynix正式宣佈已經成功製造出了雙8 Gigabit的雙通道四層堆疊工藝執行記憶體，而這正是使用在智慧手機上的8GB RAM所必須的元件。對於SK Hynix來說其實大家並不陌生，之前正是該公司在2013年首次宣佈製造出了第一塊1GB DDR3移動RAM晶片。
根據SK Hynix介紹，這種新的封裝工藝要比現有LPDDR4移動晶片的空間佔用少30%，同時功率消耗降低20%。這種新的工藝被稱作LPDDR4X，並且在今年將擁有非常大的市場需求。基本上包括Galaxy S8和iPhone 8在內的主流旗艦智慧手機，都會採用這種全新工藝的執行記憶體晶片。
雖然我們不確定蘋果是否會為iPhone 8配備8GB的RAM，畢竟這對於蘋果來說是一個非常激進的變化。但是至少在Galaxy S8上看到這種新的高密度RAM可能性還是相當高。不過現在距離9月蘋果的釋出會還有相當長一段時間，因此到時候庫克是否會為十週年紀念的iPhone 8“大動干戈”，現在誰也說不好。
