半導體器件四種基礎結構：1.金屬-半導體界面2.p-n結3.異質結界面4.金屬-絕緣體-半導體結構。
1）元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。
目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。硅在半導體工業中運用的多，這主要受到二氧化硅的影響，能夠在器件製作上形成掩膜，能夠提高半導體器件的穩定性，利於自動化工業生產。
（2）無機合成物半導體。無機合成物主要是通過單一元素構成半導體材料，當然也有多種元素構成的半導體材料，主要的半導體性質有I族與V、VI、VII族II族與IV、V、VI、VII族III族與V、VI族IV族與IV、VI族V族與VI族VI族與VI族的結合化合物，但受到元素的特性和製作方式的影響，不是所有的化合物都能夠符合半導體材料的要求。
這一半導體主要運用到高速器件中，InP製造的晶體管的速度比其他材料都高，主要運用到光電集成電路、抗核輻射器件中。 對於導電率高的材料，主要用於LED等方面。
（3）有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發生電導率，從而形成有機化合物半導體。
這一半導體和以往的半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的範圍比較廣，主要用於有機薄膜、有機照明等方面。
（4）非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬於半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的週期性排列，形成非晶硅。
晶態和非晶態主要區別於原子排列是否具有長程序。非晶態半導體的性能控制難，隨着技術的發明，非晶態半導體開始使用。這一製作工序簡單，主要用於工程類，在光吸收方面有很好的效果，主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。[2]
（5）本徵半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本徵半導體。在極低温度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發後，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子後成為導帶，價帶中缺少一個電子後形成一個帶正電的空位，稱為空穴。
空穴導電並不是實際運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為複合。複合時釋放出的能量變成電磁輻射（發光）或晶格的熱振動能量（發熱）。
在一定温度下，電子-空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。温度升高時，將產生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純淨半導體的電阻率較大，實際應用不多。
